Страница 166

s×106, см/м

Магнитная проницаемость

m/m9

Коэффициент распространения

, мм-1

Импеданс

,Ом

Медь

Алюминий

Сталь

Свинец

57,1

34,5

7,2

4,8

1

1

100

1

При определении электромагнитного поля сложных источников их разбивают на элементарные, а затем используют принцип суперпозиции полей. Импеданс среды для поля элементарного электрического излучателя

(6.57)

Импеданс среды для поля элементарного магнитного излучателя

(6.58)

Из выражений (6.57) и (6.58) видно, что вблизи источника, т. е. в зоне индукции (kr «1), импеданс среды преимущественно электрическому полю

(6.59)

импеданс среды преимущественно магнитному полю

(6.60)

С увеличением расстояния от источника импеданс zE уменьшается, а импеданс zH увеличивается (рис. 6.51). Оба импеданса будут стремиться к одному значению, которое они достигают в зоне излучения (kr >> 1): z = zEH = z*.

Рис. 6.51. Импеданс среды для элементарных и дучателей

в зависимости от расстояния до источника:

Различают экранирование магнитного, электрического и электромагнитного (плоская волна) полей. В большинстве случаев с двух сторон от экрана находится одна и та же диэлектрическая среда — воздух, и эффективность экранирования, пользуясь формулой (6.39), можно записать в виде

(6.61)

Чтобы произвести расчет по этой формуле, кроме толщины экрана h необходимо знать коэффициент распространения k̂* и импедансы z1 и z2. Так как экран обычно изготовляют из металла, то c учетом зависимостей (6.27) и (6.56) коэффициент распространения k̂* и импеданс z2 будут равны:

. Более сложно определяется импеданс z1. В зоне излучения импеданс диэлектрической среды — воздуха — будет равен (для воздуха m » m0, e » e0) Ом. Однако в зоне индукции импеданс z1 зависит не только от вида основной составляющей электромагнитного поля [см. формулы (6.59) и (6.60)]. Он определяется также формой конструкции экрана (рис. 6.52). С учетом формы импеданс Zi при экрани-повании электоического поля записывают в виде

(6.62)

где т = 2 при r* = l/2 для плоского экрана; т = 1 при г* = r —для цилиндрического экрана; т = 1/Ö2 при г* = r для сферического экрана (см. рис. 6.52).